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TECNOLOGIA

TSMC valuta la 3D DRAM su richiesta di Nvidia: due ipotesi per gli impianti

Il maggiore cliente avrebbe sollecitato la fonderia a entrare nel settore delle memorie avanzate, oggi dominato da Samsung, SK Hynix e Micron; investimenti e calendario restano indefiniti.

7 Nov, 06:48 · 3 sources · 2 min

TSMC valuta la 3D DRAM su richiesta di Nvidia: due ipotesi per gli impianti

È la penuria di memorie che accompagna l'impennata della domanda di hardware per l'intelligenza artificiale a stare all'origine dell'indiscrezione: secondo The Information, che cita due persone informate, Nvidia avrebbe chiesto direttamente a TSMC di valutare la produzione di 3D DRAM, e la fonderia taiwanese avrebbe cominciato a pianificare. L'eventuale ingresso nel settore allargherebbe il ruolo di TSMC nella filiera dell'AI, dove oggi opera come fornitore di processi per conto terzi e non come produttore di memoria; il mercato delle DRAM è dominato da Samsung Electronics, SK Hynix e Micron.

La 3D DRAM è un'architettura che impila verticalmente le celle di memoria invece di disporle su un unico piano orizzontale, accrescendo la capacità; è una strada strutturalmente diversa dall'HBM, che aumenta la velocità di trasferimento impilando più chip DRAM. I prezzi delle DRAM sono saliti e i progettisti di semiconduttori — Nvidia e Apple tra gli altri, secondo la ricostruzione giornalistica — hanno iniziato a cercare fornitori aggiuntivi.

Quanto all'assetto industriale, TSMC valuterebbe due opzioni: costruire un impianto dedicato oppure acquisire una fabbrica esistente e riconvertirla alla produzione di memoria, come ha fatto Micron quest'anno con un sito rilevato. Il progetto sarebbe guidato da Xu Guojin, vicepresidente responsabile dell'advanced packaging, già a capo della divisione taiwanese di Micron. Un ingresso nel settore muterebbe i rapporti con i produttori coreani: con SK Hynix esiste dal 2024 un accordo per lo sviluppo dell'HBM4 e per le tecnologie di packaging avanzato, con il base die realizzato tramite processi di fonderia; secondo le indiscrezioni, Nvidia avrebbe chiesto a Samsung, SK Hynix e Micron di produrre il base die dell'NVHBM con il processo a 3 nanometri di TSMC. Cooperazione su un fronte e concorrenza sull'altro potrebbero convivere.

Nessuna decisione è però stata presa su tempi e investimenti. TSMC ha risposto a The Information di non commentare «voci o speculazioni di mercato» e di voler restare concentrata sul core business della fonderia; Nvidia non ha commentato. Restano, secondo il commento della testata specializzata AI Times, i dubbi tecnici: impilare le celle complica i processi e aumenta il rischio di difetti, e padroneggiare la produzione di massa potrebbe richiedere anni, davanti a concorrenti con decenni di esperienza. Lo stesso commento segnala la volatilità ciclica del mercato delle memorie e la possibilità che TSMC sospenda il progetto. Il prossimo elemento verificabile sarà l'eventuale decisione sull'impianto e la conferma di un calendario produttivo.

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