Dos rutas de capacidad y ninguna decisión: el plan de TSMC para fabricar DRAM 3D

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ha comenzado a planificar la fabricación de una memoria avanzada denominada 3D DRAM, según un reporte de The Information basado en dos fuentes, que sitúa el origen de la iniciativa en una petición directa de Nvidia, su mayor cliente. El movimiento se inscribe en la cadena de suministro de hardware para inteligencia artificial: el auge de la demanda de semiconductores para IA agravó la escasez de memoria y disparó el precio del DRAM, lo que llevó a diseñadores de chips como Nvidia y Apple a buscar suministro alternativo. Una eventual entrada de la mayor fundición del mundo en memoria alteraría un mercado hoy dominado por Samsung Electronics, SK Hynix y Micron.

El 3D DRAM es una arquitectura que apila verticalmente las celdas de memoria en lugar de disponerlas en una sola capa horizontal, con el objetivo de aumentar la capacidad. No debe confundirse con la memoria de alto ancho de banda (HBM), que apila varios chips de DRAM para elevar la velocidad de transferencia de datos. Según el reporte, el apilado vertical complica el proceso y aumenta la probabilidad de defectos, por lo que dominar la producción en volumen podría llevar años; Samsung, SK Hynix y Micron acumulan décadas de experiencia en fabricación de memoria y también desarrollan tecnología 3D DRAM.

TSMC evalúa dos vías para obtener capacidad: construir una planta nueva dedicada a memoria o adquirir una fábrica existente y reconvertirla, una ruta similar a la que Micron siguió este año al comprar una planta de obleas y adaptarla a producción de DRAM. El reporte de The Information atribuye la dirección del proyecto al vicepresidente de TSMC Hsu Kuo-chin, responsable del negocio de empaquetado avanzado, que anteriormente dirigió la unidad de Micron en Taiwán. Ni el monto de la inversión ni la fecha de inicio de producción están definidos.

El impacto dependería de la relación con los actuales proveedores. SK Hynix y TSMC firmaron en 2024 un acuerdo para desarrollar conjuntamente HBM4 y tecnologías de empaquetado avanzado, con el uso de procesos de fundición en la oblea base del HBM; Nvidia habría pedido a Samsung, SK Hynix y Micron fabricar en el proceso de 3 nanómetros de TSMC la oblea base de su HBM personalizado NVHBM. Si la producción de memoria se concretara, las firmas cooperarían en HBM y competirían en la próxima generación de DRAM, en un mercado de marcada volatilidad cíclica.

TSMC dijo a The Information que no comenta «rumores o especulaciones del mercado» y que seguirá concentrada en su negocio central de fundición; ninguno de los dos había respondido aún a la solicitud de comentario de Reuters sobre este reporte, y Nvidia no formuló comentarios. El siguiente hito verificable es la decisión sobre la vía de capacidad —planta nueva o planta adquirida— y el consiguiente calendario de producción, ambos sin anunciar.