台积电据报评估为英伟达生产3D DRAM，产能方案尚未确定

人工智能硬件需求快速上升正在压缩存储芯片供应。《The Information》引述两名知情人士报道，英伟达已直接要求台积电规划生产名为3D DRAM的先进存储芯片；韩国媒体AI타임스称，在存储价格大幅上涨之后，英伟达、苹果等芯片设计公司开始寻找新的供应来源。如果计划落地，台积电将从晶圆代工延伸至存储制造，进入长期由三星电子、SK海力士与美光主导的市场。

据AI타임스报道，3D DRAM把存储单元垂直堆叠以提高容量，与把多颗DRAM芯片堆叠以提升传输速度的高带宽存储（HBM）在结构上不同。台积电正评估两种取得产能的方式：新建专用工厂，或收购现有晶圆厂并改造为存储产线；自由时报提到，美光今年曾收购一座晶圆厂并将其改建为DRAM生产线。报道称，该项目由负责先进封装业务的副总经理徐国晋主导，他曾任美光台湾业务负责人。具体投资规模与量产时间均未确定。

AI타임스的分析认为，短期内台积电难以撼动现有格局：垂直堆叠使工艺复杂、缺陷风险上升，掌握量产技术或需数年，而三星、SK海力士与美光已积累数十年制造经验；存储行业的周期性波动也是变量，在供应短缺期扩产后，如果量产时需求回落，价格可能急跌。该媒体还指出，SK海力士与台积电在2024年签署了HBM4开发与先进封装合作协议；如果台积电进入存储制造，双方可能形成在HBM上合作、在下一代DRAM上竞争的关系。同一报道称，英伟达此前要求三星、SK海力士与美光以台积电3纳米工艺生产定制HBM“NVHBM”的基底芯片，这一说法尚未得到证实。

台积电向《The Information》表示，不评论市场传闻或揣测，并强调将继续专注晶圆代工核心业务；据AI타임스，英伟达不予置评。另据路透社，台积电与英伟达均未立即回应其置评请求。下一步值得关注的是，台积电是否会在新建工厂与收购改造之间作出选择，以及投资规模与量产时点是否公开。