TECHNOLOGIE
À la demande de Nvidia, TSMC étudie une entrée dans la mémoire 3D DRAM
Le fondeur taïwanais aurait entamé, à la demande de Nvidia, l'étude d'une production de mémoire 3D DRAM, un projet encore non décidé qui le placerait face aux trois grands fabricants de mémoire.

Selon The Information, qui cite deux personnes proches du dossier, TSMC a récemment commencé à élaborer un projet de production de mémoire 3D DRAM, à la demande de son principal client, Nvidia. L'information, relayée par Reuters et par la presse spécialisée, intervient alors que la demande de matériel pour l'intelligence artificielle tend le marché de la mémoire : la pénurie s'aggrave et les prix du DRAM ont fortement augmenté, poussant des concepteurs de puces à rechercher de nouvelles sources d'approvisionnement. Aucune décision d'investissement ni calendrier de production n'est toutefois arrêté à ce stade.
La 3D DRAM désigne une architecture dans laquelle les cellules mémoire sont empilées verticalement, et non disposées sur un seul plan horizontal, afin d'accroître la capacité de stockage. Elle se distingue structurellement de la mémoire à bande passante élevée (HBM), qui empile plusieurs puces DRAM pour accélérer les transferts de données. Samsung Electronics, SK Hynix et Micron développent eux aussi cette technologie, afin de repousser les limites de miniaturisation du DRAM conventionnel.
Pour produire, TSMC examinerait deux voies : la construction d'une usine dédiée ou le rachat d'une usine existante reconvertie en site de mémoire, à l'image de l'acquisition d'une usine par Micron cette année. Le projet serait piloté par le vice-président Hsu Kuo-chin, responsable du conditionnement avancé, passé par les activités taïwanaises de Micron. Une entrée effective placerait le fondeur taïwanais face aux trois groupes qui dominent le marché, sans rompre les coopérations existantes : SK Hynix et TSMC ont signé en 2024 un contrat portant sur le développement du HBM4 et les technologies de conditionnement avancé, la production de la puce de base recourant à un procédé de fonderie avancé. Nvidia aurait par ailleurs demandé à Samsung, SK Hynix et Micron de fabriquer la puce de base de son NVHBM sur le 3 nm de TSMC.
TSMC a déclaré à The Information ne pas commenter « les rumeurs ou spéculations du marché » et rester concentré sur son cœur de métier de fonderie ; Nvidia n'a pas fait de commentaire. Les sources citées soulignent que l'empilement vertical des cellules complique le procédé et accroît le risque de défauts, ce qui pourrait exiger des années avant une maîtrise de la production de masse, face à des concurrents forts de plusieurs décennies d'expérience. La cyclicité du marché mémoire — des capacités ajoutées en période de pénurie pouvant coïncider avec un reflux de la demande — laisse ouverte l'hypothèse d'un report du projet. Le prochain jalon observable réside dans le choix entre construction et acquisition, ainsi que dans le montant d'investissement, qu'aucune des parties n'a fixé.
Sources
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