Möglicher Einstieg ins Speichergeschäft: Ein Bericht sieht TSMC-Pläne für 3D-DRAM-Fertigung für Nvidia

Ein Bericht des Technologiemediums The Information, der sich auf zwei mit der Angelegenheit vertraute Personen stützt, verortet den weltgrößten Auftragsfertiger TSMC in der Planungsphase für eine eigene Fertigung von 3D-DRAM – ausgelöst durch eine entsprechende Anfrage des größten Kunden Nvidia. Der Vorgang berührt den Kern der KI-Hardwareversorgung: Die Nachfrage nach KI-Chips hat den Speicherbedarf so stark steigen lassen, dass die DRAM-Preise deutlich anzogen und Chipdesigner wie Nvidia und Apple nach zusätzlichen Bezugsquellen suchen; Nvidia soll TSMC direkt um eine Speicherproduktion gebeten haben. Ob daraus ein Geschäft wird, ist offen – bislang handelt es sich um einen Medienbericht über Planungen, nicht um eine Investitionsentscheidung.

3D-DRAM unterscheidet sich von der herkömmlichen Architektur dadurch, dass die Speicherzellen vertikal gestapelt statt in einer Ebene angeordnet werden, was die Kapazität erhöhen soll; mit HBM, bei dem mehrere DRAM-Chips gestapelt werden, sei die Architektur strukturell nicht vergleichbar, berichtet AI Times. Für die nötigen Kapazitäten prüft TSMC zwei Wege: einen Neubau oder den Kauf einer bestehenden Fabrik mit Umbau auf Speicherproduktion – ein Vorgehen, das Micron nach Angaben der Liberty Times in diesem Jahr mit dem Erwerb eines Werks und dessen Umrüstung zu einer DRAM-Produktionsstätte gewählt hat. Investitionsvolumen und Zeitpunkt einer Serienfertigung sind nicht festgelegt. Geleitet wird das Vorhaben dem Bericht zufolge von Vizepräsident Xu Guojin, der die Advanced-Packaging-Sparte verantwortet und zuvor das Taiwan-Geschäft von Micron führte.

Marktseitig träfe ein Einstieg auf eine Konstellation, die Samsung, SK Hynix und Micron dominieren; alle drei entwickeln nach Angaben von AI Times selbst 3D-DRAM, um die Grenzen der klassischen Skalierung zu überwinden. Die Verflechtung ist ambivalent: TSMC und SK Hynix vereinbarten 2024 eine Zusammenarbeit bei HBM4 und Advanced Packaging, wobei der Basis-Die mit einem Foundry-Prozess gefertigt wird; zudem soll Nvidia die drei Speicherhersteller gebeten haben, Basis-Dies für maßgeschneiderte NVHBM-Speicher im 3-nm-Verfahren von TSMC fertigen zu lassen. Wettbewerb und Kooperation könnten also nebeneinander bestehen. AI Times verweist zugleich auf die Hürden: Das vertikale Stapeln gilt als prozesskomplex und fehleranfällig, die etablierten Anbieter verfügen über jahrzehntelange Erfahrung, und die zyklische Speichernachfrage könnte Investitionen entwerten, falls die Nachfrage zum Zeitpunkt der Produktion sinkt.

TSMC teilte mit, zu Marktgerüchten und Spekulationen keine Stellung zu nehmen, und betonte, sich auf das Kerngeschäft der Auftragsfertigung zu konzentrieren; Nvidia äußerte sich nicht. Der nächste zu beobachtende Schritt ist eine Entscheidung über den Kapazitätsweg – Neubau oder Übernahme – und über einen Produktionsstart; beides ist derzeit offen.